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1、U D CH 8 0 6 2 1 - 3 1 5 - 5 9 2 石旨 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G s / T 1 4 8 4 4 一 9 3 半 导 体 材 料 牌号 表 示 方 法 D e s i g n a t i o n s o f s e mi c o n d u c t o r ma t e r i a l s 1 9 9 3 一 1 2 一 2 4发布 1 9 9 4 一 0 9 一 0 1 实施 国家技术监督局 发 布 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G s / T 1 4 8 4 4 一 9 3 半导 体材 料牌号表 示方法 De s i g
2、n a t i o n s o f s e mi c o n d u c t o r ma t e r i a l s 1 主题内容与适用范围 本标准规定了半导体多晶、 单晶、 晶片和外延片产品牌号的表示方法。 本标准适用于编制半导体材料的牌号。 在编写国家标准和行业标准时， 应采用本标准所规定的牌号 表示方法。产品出厂时， 应使用本标准规定的牌号标志。 2 牌号分类 按照晶体结构和产品形状， 半导体材料牌号分为多晶、 单晶、 晶片和外延片四类。 3 牌号表示方法 3 . ， 多晶牌号 半导体多晶的牌号表示为: 口 一 口 一 口 一( 口) 一 口 1 , 2 , 3 , 4 , 5 分别代
3、表牌号的第一项至第五项。 3 . 1 . 1 牌号的第一项表示多晶的生产方法或特殊用途 ， 或生产方法与特殊用途的组合， 分别用英文的 第一个字母或其字母组合的大写形式表示， 其中: C表示铸造法; b . I R表示红外光学用途; c . R表示还原法; d . Z表示区熔法。 3 . 1 . 2 牌号的第二项中 P表示多晶， 分子式表示多晶名称。 3 . 1 . 3 牌号的第三项表示多晶的形状， 分别用英文第一个字母的大写形式表示， 其中: a . I 表示棒状; b . N表示块状。 3 . 1 . 4 牌号的第四项中括号内的元素符号表示掺杂剂。 3 . 1 . 5 牌号的第五项中用阿拉
4、伯数字表示多晶产品的等级。 国家技术监督局1 9 9 3 一 1 2 一 2 4 批准1 9 9 4 一 0 9 一 0 1实施 GB / T 148 44一 93 3 . 1 . 6 若多晶产品不强调生产方法或形状， 或不掺杂等， 其牌号相应部分可省略。 3 门 了示例 : a . P S i - N - 1表示一级块状硅多晶; b . Z - P Ge - 1 表示一级区熔锗锭; c . R - P G e - 1 表示一 级还 原锗锭。 3 . 2 单晶牌号 半导体单晶的牌号表示为: 口 一 口 一 口( )一 ) 一一一1 1 , 2 , 3 , 4 分别代表牌号的第一项至第四项。 3
5、 . 2 . 1 牌号的第一项表示单晶的生产方法， 分别用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示， 其中 : a . C z 表示直拉法; b . F Z表示悬浮区熔法; c . H B表示水平法; d . L E C表示液封直拉法; e . MC z 表示磁场拉晶法。 2 . 2 牌号的第二项用分子式表示单晶的名称。 2 . 3 牌号的第三项中用 n或P表示导电类型， 括号内元素符号表示掺杂剂， N T D表示中子嫂变掺杂 牌号的第四项用密勒指数表示晶向。 若单晶不强调生产方法或不掺杂时， 其牌号的相应部分可省略。 示例 : C z - S i - p ( B ) 一 ( 1 0 0 )
6、 表示晶向为( 1 0 0 ) 的p 型掺硼直拉硅单晶; F Z - S i - n ( N T D) 一 ( 1 1 1 表示晶向为( 1 1 1 ) 的 n 型中照悬浮区熔硅单晶; HB - G a A s - n ( S i ) 一 ( 1 0 0 ) 表示晶向为( 1 0 0 ) 的 n型掺硅水平砷化稼单晶; L E C-G a A - ( C r +O ) 一 1 0 0 ) 表示晶向为 1 0 0 ) 掺铬和氧的液封直拉砷化稼单晶。 月曰砂 0八乙n乙弓乙 33法3.3. ， sbCd 晶片牌号 半导体晶片的牌号表示为: 口口 一 口 一 口( )一 ) 丁下一 下 -丁5 G f
7、 t / T 1 4 8 4 4 一 9 3 1 , 2 , 3 , 4 , 5 分别代表 牌号的第一项至第五项。 3 . 3 . ， 牌号的第一项表示产品的生产方法或特殊用途 ， 其符号表示同 3 . 2 . 1 条。另以以下英文第一个 字母组合的大写形式表示为: a . C C D表示用于制作电 荷藕合器件的晶片; b . I C表示用于制作集成电路器件的晶片; c . D D表示用于制作分立器件的晶片; d . S C 表示用于 制作太阳能电池器件的晶片。 3 . 3 . 2 牌号的第二项用分子式表示单晶的名称。 3 . 3 . 3 牌号的第三项表示晶片种类， 分别用英文第一个字母组合的
8、 大写形式表示， 其中: a . C W 表示切割片; b . L W 表示单面研磨片; c . B L W表示双面研磨片; d . E t W表示腐蚀片; e . P W 表示单面抛光片; f . B P W 表示双面抛光片; g D W表示扩散片; h . GW表示吸杂片。 3 . 3 . 4 牌号第四项中的符号表示同 3 . 2 . 3 条。 3 . 3 . 5 牌号的第五项用密勒指数表示晶向。 3 . 3 . 6 若晶片不强调晶 体生产方法或特殊用途， 或晶体不掺杂时， 其 牌号 的相应部分可省略。 3 . 3 . 7 示例: a . C z - S i - P W- n ( S b
9、) - 1 1 1 ) 表示晶向为( 1 1 1 ) 的n型掺锑直拉硅单晶抛光片， b . F Z - S i - B L W- n ( N T D ) - 1 1 1 ) 表示晶向为 1 1 1 ) 的n 型中照悬浮区熔硅单晶双面 研磨片。 3 . 4 外延片牌号 半导体外延片的牌号表示为: 口 一 口 一 口( ) 一( ) 1 , 2 , 3 , 4 分别代表牌号的第一项至第四 项。 34 . ， 牌号的第一项表示外延片的生长方法， 分别用英文第一个字母组合的大写形式表示. 其中: a . VP E表示气相外延; b . L P E表示液相外延; c . MB E表示分子束外延; d .
10、 MO C V D表示金属有机化合物化学气相沉积。 3 . 4 . 2 牌号第二项用分子式表示外延片的名称。 3 . 4 . 3 牌号的第三项表示外延片的结构， 括号内用元素符号表示掺杂剂， 分别用下列符号表示: a . n / n 十 表示在 n 十 型衬底上生长 n型外延层; b . p / p + 表示在p + 型衬底上生长P 型外延层; G B / T 1 4 8 4 4 一 9 3 c . n / p ( 或p / n ) 表示在 p型( 或 n型) 衬底上生长导电类型相反的外延层; d . n / I ( 或 p / I ) 表示在绝缘衬底上生长 n型( 或 p 型) 外延层; e
11、 . n / p / n 表示在 n型衬底上先生长 p型外延层， 再生长n型外延层， 其他多层外延片结构表示方 法以此类推。 3 . 4 . 4 牌号的第四项用密勒指数表示晶向。 3 . 4 . 5 示例: a . V P E - S i - n / n + ( P / S b ) 一 1 0 0 ) 表示晶向为( 1 0 0 ) 衬底为重掺锑外延层掺磷的n 型气相硅外延片; b . L P E - G a A s - n / n + ( S n / T e ) 一 1 0 0 ) 表示晶向为( 1 0 0 ) 的衬底掺啼外延层掺锡n 型液相砷化稼外 延片。 附加说明: 本标准由中国有色金属工
12、业总公司提出。 本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所负责起草。 本标准主要起草人吴福立、 袁建忠。 *草庐一苇草庐一苇*提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 本人有各种国内外标准 20 余万个， 包括全系 列 GB 国标国标及国内行业行业及部门标准部门标准，全系列 BSI EN DIN JIS NF AS NZS GOST ASTM ISO ASME SSPC ANSI IEC IEEE ANSI UL AASHTO ABS ACI AREMA AWS ML NACE GM FAA TBR RCC 各国船级 社 船级 社 等大量其他国际标准。豆丁下载网址：豆丁下载网址： http:/