1、5.1.4概念自测题一、填空题1 .自然界中存在着许多不同的物质，根据其导电性能的不同大体可分为、和三大类。2 .半导体之所以引起人们的注意并得到广泛的应用，主要原因是它的导电能力随着外界环境而改变，即半导体具有、和。3 .N型半导体是在本征半导体中加入价的元素，常用的是，在N型半导体中多数载流子是;P型半导体是在本征半导体中加入价的元素，常用的是，在P型半导体中多数载流子是。二、判断题L半导体导电能力随着温度的变化、光照的强弱或掺入杂质的多少而发生变化。（）2 .在本征半导体和杂质半导体中自由电子和空穴的数量总是相等的。（）3 .导体与半导体的导电能力都随外界环境而变化。（）三、选择题L导体
2、之所以能够导电，是因为在导体内部存在着大量的能摆脱原子核束缚的（）A.自由电子B.空穴C.自由电子和空穴2 .生活中常用到的发光二极管是利用半导体的（）特性制造而成的。A.光敏性B.热敏性C.杂敏性3 .N型半导体或P型半导体（）A.带正电B.带负电C.呈电中性5.2.4概念自测题一、填空题1 .PN结是由和在其结合面上形成的一种特殊结构的薄层，具有，其导通条件是。2 .二极管实质上是有一个PN结构成，具有o外加正向电压大于导通电压时导通，硅二极管的正向压降约为,褚二极管的正向压降约为。外加反向电压时截止,当反向电压超过一定值时二极管o3 .发光二极管（LED）是把转换成的半导体器件，工作于。
3、光电二极管是把转换成的半导体器件，在电路中一般是工作于o4 .用万用表测量二极管的正反向电阻阻值可以来确定二极管的电极。一般二极管的正向电阻反向电阻；若正向电阻和反向电阻都很小或接近于零，说明二极管;若正向电阻和反向电阻都很大或接近于无穷大，说明二极管;若正向电阻和反向电阻相差不大，说明二极管二、判断题1.因PN结存在一个内电场，则用导线将PN结的两端连接起来，导线中将有电流流过。（）2.温度升高，二极管的反向击穿电压减小。（）3.当二极管外加反向电压增大超过一定值时，反向电流急剧增加，二极管被击穿，二极管一旦被击穿就不能再使用了。（）三、选择题L当PN结外加正向电压时，在PN结内参与导电的是
4、A.多数载流子B.少数载流子C.多数载流子和少数载流子2 .二极管最高反向工作电压URM是指确保二极管安全使用所允许施加的最大反向电压，一般约为反向击穿电压的（）A.一半或三分之二B.相等C.三分之一3 .能在高频电路中用作自动调谐、调频、调相的二极管为（）A.发光二极管B.光电二极管C.变容二极管5.3.6概念自测题一、填空题L三极管的三层半导体为三个区，分别为、。从三个区引出的三个电极相应电极为、,分别用、来表示。组成三极管的两个PN结分别为、o2 .半导体三极管是由两个PN结构成，根据两个PN结的组成不同可分为和。其中的发射区是N型半导体，基区是P型半导体。3 .有一三极管的三个电极
5、无法直接观察出，现测得1端的对地电位为6V,2端的对地电位为6.7V,3端的电位为11V。从而可以判断出为,材料制成，1端为,2端为，3端为o4 .三极管在放大电路中，已知Ic=3mA,lE=3.02mA,则IB=,三极管放大倍数-。二、判断题L三极管工作在放大状态，发射结一定是处于正向偏置。（）2 .夕值是衡量三极管放大能力的重要指标，对于一个管子来说是一个定值，选用三极管时,夕值越高越好。（）3 .发射结正偏，集电结反偏，则三极管工作在放大状态。（）三、选择题1 .已知晶体三极管中的集电极电流随着基极电流ib的增加而增加，与UCE的大小无关，则三极管工作在（）A.放大区B.饱和区C.截止区
6、2 .已知测得三极管4=20A时，Ic=2.5mA;Ib=304A时，Ic=3mA0则三极管的电流放大系数为（）A.50B.80C.1003 .集电极一发射极间反向电流ceo是衡量三极管质量好坏的一个标准，其值（）A.越小越好B.越大越好C.不能确定5.4.3概念自测题一、填空题1 .晶体三极管的自由电子和空穴两种截流子均参与导电，是。而场效应管只依靠一种截流子（）参与导电，是单极型器件。2 .三极管的三个电极分别为：、,场效应管也是一种三端半导体器件，三个电极分别为：、o依次用符号：、表示。3 .在场效应管的漏极特性曲线上，场效应管的工作状态可以分为：、四个区。三、判断题L场效应管工作在恒流
7、区时，可以作压控电阻使用。（）2 .场效应管的源极和漏极可以对调使用。（）3 .场效应管制造结构简单，但不利于集成。（）二、选择题1 .场效应管是属于（）控制类型的电子元件。A.电流控制B.电压控制C.不确定2 .场效应管以下那些作用（）A.电压放大B.电流放大C.电阻转换D.都有3 .场效应管的优点有（）A.温度稳定性好B.输入电阻低C.功率损耗大5.1.4 概念自测题答案一、填空题1、导体、绝缘体、半导体。2、热敏性、光敏性、杂敏性。3、+5,磷元素，自由电子；+3,硼元素，空穴。三、判断题1-3X二、选择题1-3AAC5.1.5 概念自测题答案一、填空题1、N型半导体、P型半导体，单向导
8、电性，PN结外加正向电压。2、单向导通性。0.6V,0.3V,被反向击穿。3、电能、光能，正向偏置状态。光能、电能，反向偏置状态。4、远远小于；内部已被击穿；内部已断路；单向导电性能变坏或已失效。二、判断题1-3X三、选择题1-3CAC5.3.6概念自测题答案一、填空题1、基区、发射区和集电区。基极、发射极和集电极，b、e、c。发射结、集电结。2、NPN型三极管、PNP型三极管。NPN型三极管。3、NPN型，硅，发射极，基极，集电极。4、0.02mA,150o二、判断题1-3三、选择题1-3AAA5.4.3概念自测题答案一、填空题1、双极型晶体管。多数载流子。2、基极、集电极和发射极，栅极、源极和漏极。G、S、Do3、可变电阻区、放大区、截止区、击穿区。二、判断题1-3X三、选择题1-3BDA
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