晶向、晶面及晶带.ppt

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1、参考教材: The Science and Engineering of Materials,第2章 晶体学基础,2,目录,晶体及其基本性质 晶向、晶面及晶带 晶体的间隙 晶体的缺陷 晶体的投影 倒易点阵,2021/2/20,3,2.2 晶向、晶面及晶带,1、晶向与晶向指数 2、晶面与晶面指数 3、面间距、晶面夹角和晶带理论 4、间隙,4,一、晶向及晶向指数,1.晶向: 通过晶格中任意两个格点连一条直线称为晶列,晶列的取向称为晶向,描写晶向的一组数称为晶向指数(或晶列指数 miller indices)。 过一格点可以有无数晶列。,5,晶列的特点: (1)平行晶列组成晶列族,晶列族包含所有的格

2、点; (2)晶列上格点分布是周期性的; (3)晶列族中的每一晶列上,格点分布都是相同的; (4)在同一平面内,相邻晶列间的距离相等。,6,2.晶向指数u v w确定步骤: 建立一个右手空间直角坐标系,在待测晶向上确定两个点的坐标。 用终点的坐标减去起点的坐标,得到沿各坐标轴方向上的数值。 将其按比例化为最小的整数。 将此整数放在一个方括号u v w中。若有负号,将负号标在该数字的上方。 如121表示,Coordinates of selected points in the unit cell. The number refers to the distance from the origin

3、 in terms of lattice parameters.,例题:确定图1-18中A,B和C方向的晶向指数,晶向 A 1.两点坐标分别为(1, 0, 0) and(0, 0, 0) 2. (1, 0, 0) - (0, 0, 0) =( 1, 0, 0) 3. 已为最小的整数,记作 100 晶向B 1.两点坐标分别为(1, 1, 1) and (0, 0, 0) 2. (1, 1, 1) -(0, 0, 0) = (1, 1, 1) 3.已为最小的整数,记作 111 晶向C 1.两点坐标分别为(0, 0, 1) and (1/2, 1, 0) 2. (0, 0, 1) -(1/2, 1,

4、 0) = (-1/2, -1, 1) 3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2,记作,2021/2/20,9,练习1:确定图中AB,BC和AD的晶向指数,A (100) B (001) C (110) D (011/2),O,2021/2/20,10,O,给出晶向指数,如何画出该晶向? 例:在立方晶格中画出012和123晶向?,2021/2/20,11,123,O,O1,注意: 晶向是一个矢量,有方向的区别; 一个晶向跟它的倍数是相同的; 对于高对称性的晶体来说,晶体学上等价的晶向具有相似的晶向指数。这些等价的晶向构成的集合,称为晶向族 。也就是互相不平行而原子排列规律相同

5、的晶向的集合; 在立方体中有,沿立方边的晶列一共有6个不同的晶向,由于晶格的对称性,这6个晶向并没有什么区别,晶体在这些方向上的性质是完全相同的,统称这些方向为等效晶向,写成; 同一晶向族中的指数相同,只是排列顺序或符号不同; 立方晶系中的一些重要的晶向族有6种轴向、12种面对角线方向、8种体对角线方向和顶点到面心的方向。,2021/2/20,13,14,3. 阵点间距、线密度和堆垛密度 阵点间距(repeat distance):沿晶向方向阵点之间的距离。 线密度(liner density):沿一个方向单位长度上相同阵点的数目。 线堆垛密度(线致密度):某个晶向上的原子所占的长度的比例。,

6、Determining the repeat distance, linear density, and packing fraction for 110 direction in FCC copper.,15,例:已知Cu是FCC晶胞结构,晶格常数a = 0.36451 nm,计算晶胞中110晶向的阵点距离、线密度和线致密度? 对于FCC晶胞中110晶向,起点设在0,0,0位置,下一个阵点在面心,即1/2,1/2,0的位置。因此,阵点间的距离是面对角线的一半,等于 。铜的晶格常数为0.36151nm,可以算出阵点间距为0.2556nm。 铜的面心立方晶胞110晶向有2个重复距离,为 线密度

7、3.91阵点/nm 因此,线密度也可以看成是阵点间距的倒数。 线致密度线密度2r 。 线致密度线密度2r 3.9120.127811 说明原子沿110晶向相互接触(面心立方晶胞的最密排方向)。,16,二、晶面及晶面指数,1.晶面 在晶格中,通过任意三个不在同一直线上的格点作一平面,称为晶面,描写晶面方位的一组数称为晶面指数。 (1)平行的晶面组成晶面族,晶面族包含所有格点; (2)晶面上格点分布具有周期性; (3)同一晶面族中的每一晶面上,格点分布(情况)相同; (4)同一晶面族中相邻晶面间距相等。,17,2.晶面指数(hkl)确定步骤: 以晶胞的某一阵点为原点,以过原点的晶轴为坐标轴,以点阵

8、常数a,b,c为三个坐标轴的长度单位,建立一个空间直角坐标系。但原点应位于待定晶面之外,以避免出现零截距。 找出待定晶面在三轴的截距,如果该晶面与某轴平行,则截距为无穷大。 求出晶面在三个坐标轴上的截距x,y,z,对所求截距取倒数得1/x,1/y,1/z; 将它们按比例化成三个最小的整数h,k,l; 再将它们放在一个圆括号中即得该晶面的晶面指数(hkl)。如果有存在负号,将负号标在该数字的上方。,确定图中A,B和C晶面的晶面指数,Figure Crystallographic planes and intercepts,Plane A 1. x = 1, y = 1, z = 1 2.1/x

9、= 1, 1/y = 1,1 /z = 1 3.已为最小的整数,记为 (111) Plane B 1.晶面和z轴平行,所以x = 1, y = 2, and z = 2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0 3. 化为最小的整数:1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0,记作 (210) Plane C 1.因为晶面经过了原点,所以要把原点沿y轴方向移动一个晶格常数的距离,所以, x = , y = -1, and z = 2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0 3.已为最小的整数,记作,2021/2/20,20,练习,EFB晶面 BFGD晶面 ACD

10、晶面,21,O,例:在下图中画出(012)和(123)晶面,O,22,一个晶面和其负晶面是相同的(这和晶向不同) 晶面指数和该指数的倍数是平行的,但不是等同的(这也和前面讲的晶向不同)。 晶面指数代表的不仅是某一晶面,而是代表一组互相平行的晶面; 在晶体内部凡晶面间距和晶面上原子的分布完全相同,只是空间位相不同的晶面归为同一晶面族,用 h k l表示,它代表由对称性相联系的若干组等效晶面的总和; 在一个晶胞中同属于某一晶面族的等效晶面数目,称为多重性因子; 立方晶系中,具有相同指数的晶向和与晶面必定是互相垂直的,即晶向的方向为该相同指数晶面的法线方向。 111 (111),23,对于高对称性的

11、晶体来说,结晶学上等价的面具有相同的指数,这些结晶学上的等价面就构成一个晶面族(planes of a form) ,也就是互相不平行而原子排列规律相同的晶面的集合。 立方晶系中: 12个对角面 (110), (101), (011), (110),(101), (011), (110), (101), (011), (110), (101), (011)构成110晶面族; 6个表面 (100) , (010) ,(001) ,(100) , (010) , (001)构成100晶面族; 同一晶面族的各晶面指数数字相同,只是排列顺序和符号不同,立方晶格的几种主要晶面标记,25,写出立方晶系的1

12、23晶面族和晶向族中的全部等价晶面和晶向的具体指数。,26,面密度(plannar density)单位面积上的原子数; 面致密度为晶面上原子实际覆盖的面积分数。 计算简单立方钋Po (010)和 (020)晶面的面密度和面致密度,钋的晶格常数为0.334nm。,27,两个晶面见图1-21,在(010)晶面,原子中心位于立方面的角上,实际上,每个原子的只有1/4在晶胞的这个面上。因此,每个面上总的原子数是1个。 (020)晶面上没有任何原子,因此它的面密度和面致密度均为0。可以看出,(010)和(020)晶面不是等同的。,28,例:在立方晶胞中画出(a) 晶向和(b) 晶面。,晶胞中画出(a)

13、晶向和(b)晶面,29,要把晶向画在晶胞内,需要把原点移动到0,+1,0,起点设在原点上,则终点的坐标为: 要画出 晶面,首先需要确定它的截距: 由于x轴上的截距为负值,要把晶面画在晶胞内,需要把原点移动到1,0,0。,30,六方晶系指数: 六方晶系的晶向和晶面通常采用密勒-布拉菲(Miller-Bravais)指数表示。晶面指数的标定方法与三轴坐标系相同,但需用(hkil) 四个数来表示。位于同一平面上的 三个坐标数中必定有一个是不独立的,可以证明它们之间存在下列关系:i= - (h+k) 在四轴坐标系中晶向指数的确定方法也和三轴坐标系相同、但需要用uvtw 四个数来表示。并且u、v、t中也

14、只能有两个是独立的,它们之间存在下列关系:t=-(u+v),六方晶系密勒-布拉菲指数 (a)四坐标法确定晶面指数 (b) 三坐标法和四坐标法确定晶面指数.,31,晶向指数的标定步骤如下: 从原点出发,沿着平行于四个晶轴的方向依次移动,使之最后达到待定晶向上的某一结点; 移动时必须选择适当的路线,使沿a3 轴移动的距离等于沿a1、a2两轴移动的距离之和的负值; 将各方向移动距离化为最小整数值,加上方括号,即为此晶向的晶向指数。 先用三轴坐标系标出待定晶向的晶向指数 ,然后再按下式换算成四轴坐标系的晶向指数uvtw 。 u=(2U-V)/3, v=(2V-U)/3, t=-(U+V)/3,w=W,

15、32,确定图中A,B晶面的晶面指数和C,D晶向的晶向指数 晶面 A 1. a1 = a2 = a3 = , c = 1 2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1 3. 已为最小的整数,记为 (0001) 晶面 B 1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1 2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1 3.已为最小的整数,记为 晶向 C 两点坐标分别为(0, 0, 1) and (1, 0, 0). 2. (0, 0, 1) (1, 0, 0) = 1, 0, 1 3.已为最小的整数,记为 晶向 D

16、1.两点坐标分别为(0, 1, 0) and (1, 0, 0). 2. (0, 1, 0) -(1, 0, 0) = -1, 1, 0 3.已为最小的整数,记为,33,密排面、密排方向和堆垛方式 在钢球模型的基础上,晶体可以看成是由某些晶面(或层)在空间按一定次序一个挨一个堆垛而成。该次序就称为堆垛方式或堆垛次序(stacking aequence)。 HCP晶体按密排面(0001)的堆垛次序是ABAB。 FCC晶体按照(111)面的堆垛次序是ABCABC。 FCC和HCP结构的堆垛方式虽不同,但都是最紧密的排列都具有相同的配位数12和致密度0.74。,2021/2/20,34,HCP结构中

17、ABABAB 堆垛次序,2021/2/20,35,FCC结构中的 ABCABCABC堆垛次序,36,三、面间距、晶面夹角和晶带理论,1.晶面间距: 晶面指数为(hkl)的一组平面点阵中相邻的两平面点阵面间的垂直距离,记作d(hkl),2021/2/20,37,晶面间距的意义: 每一种晶体物质都有一套特征d(hkl),是晶体物相分析的重要依据。 晶面指数确定,晶面的位向和晶面间距确定。晶面的位向用晶面法线的位相表示。空间任一直线的位向可用它的余弦表示。 对于立方晶系而言,晶面位向可从以下关系求得: h:k:l = cos:cos :cos cos2 + cos2 + cos2 = 1,h、k、l

18、的数值越小,晶面间距离越大,实际晶体外形中这个晶面出现的机会也越大。(晶体的x射线衍射中容易出现,衍射峰强) 晶面间距越大,该晶面上原子排布越密集;,2021/2/20,38,前述每一种晶体物质,都具有无数多组面网间距不同的面网,但在实际测试中,我们只能测得有限的一部分,即介于最大和最小面网间距之间的面网间距。 a)最大面网间距:不能超出晶胞的大小和尺寸; b) 最小面网间距:等于我们所使用的光源的单色光波长的一半,具体原因后面章节要讲述。 例如钻石(diamond) 等轴晶系,a3.5667 nm。用Cu K射线测量时,我们能测得的面网间距只有: d100=2.060; d220=1.261

19、; d311=1.0754; d400=0.8916; d331=0.8182,2021/2/20,39,不同晶系的独立面网间距数量不同 对称越高的晶体,所具有的独立面网间距数量越少;对称越低的晶体,则独立面网间距数量越多。 原因如下: 如等轴晶系:d010=d001=d100=a; 而斜方晶系:d010=b; d001=c; d100=a,2021/2/20,40,面网间距与晶胞参数之间有一定的对应关系。当 90时,d010b; d020b/2; d030b/3。下面根据晶系的不同分别列出其面网间距的计算公式。 对于立方晶系: 正交晶系: 三方和六方晶系:,41,对于立方晶系中的BCC和FC

20、C结构 BCC:h+k+l等于偶数时,n =1; h+k+l等于奇数时,n=1/2 FCC:h,k,l全为奇数或偶数时,n =1, h,k,l奇偶均有时,n=1/2 (0视为偶数)。 例如,对BCC结构: 面间距越大,晶面上原子的排列就越密集,晶面间距最大的晶面通常是原子最密排的晶面。 通常是低指数的晶面间距较大。对BCC和FCC结构,总的趋势相同,但是受 值的影响而不很规律。,2021/2/20,42,2. 晶面夹角: 立方晶系中,晶面(h k l)法线和晶向(u vw)之间的夹角 立方晶系中,晶面和晶向垂直,则晶面和晶向的指数相同。即 如果u v w/(h k l) ,则,43,两个晶面(

21、h1 k1 l1)和(h2 k2 l2)之间的夹角(即两晶面法线之间的夹角) 因此,立方晶系中,两晶面垂直的充要条件为 两个晶向(u1 v1 w1)和(u2 v2 w2)之间的夹角 立方晶系中,两晶向垂直的充要条件为,2021/2/20,44,3. 晶带、晶带轴和晶带定理: 在晶体中,可将平行于同一晶向uvw的所有晶面(hkl)称为一个晶带。或者说,相交于同一晶向的两个或多个晶面就构成一个晶带。此晶向称为晶带轴,其指数称为晶带指数; 组成晶带的各晶面称为共带面; 晶带定律:同一晶带中所有的晶面(h k l) 与晶带轴uvw 关系,满足hu + kv + lw = 0 (电子衍射花样分析中特别重要),45,物理意义: 已知两个任意两个不平行的晶面(h1 k1 l1)和(h2 k2 l2)都属于属于同一晶带,可求出其晶带指数(即两晶面交线的指数)uvw; 已知任意两个不平行的晶向u1 v1 w1和u2 v2 w2,都平行于某一晶面(h k l),可求出其共属晶面的晶面指数(hkl),46,计算晶面(311)与(132)的晶带轴指数. 判别下列哪些晶面属于111晶带;(110),(231),(123),(211),(212),(101),(133),(112),(132).,

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