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1、传播优秀Word版文档 ，希望对您有帮助，可双击去除！准备N型FZSi，电阻率约为2.5cm。制作前进行了双面抛光，并在0.55%的HF酸溶液中浸泡，去除金属颗粒等杂质B掺杂背面（BS）外延B掺杂，形成P+，制作发射极掩模1PECVD沉积氮化硅，厚度约200nm，作为后道工艺的掩模酸洗1利用去除未经曝光的光刻胶，漏出需要做BSF的区域，并且用BHF（buffered hydrouoric）去除需要做BSF区域的氮化硅氮化硅悬臂，有助于BSF和emitter的隔离0.5m刻蚀1利用HF和HNO3去除BSF区域的Emitter。利用Si的各向异性和氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到Si和氮化
2、硅的差异性刻蚀，Si被腐蚀的速度大于氮化硅，从而做出氮化硅悬臂P掺杂制作BSF，形成N+。然后利用BHF溶液去除旧的氮化硅层（P掺杂时被污染），在重新PECVD沉积氮化硅层前表面（FS）制绒（Texture）在TMAH（四甲基氢氧化铵）和IPA（异丙胺）水溶液中利用110面的特性刻蚀出金字塔结构。传播优秀Word版文档 ，希望对您有帮助，可双击去除！FSF和退火再此去除背面氮化硅层，并在FS进行P扩散，制作FSF。然后在850和氧气氛围中进行退火，以激活FS和BS注入的离子。此时，在FS和BS形成了10-35nm厚的SiO2层，作为ARC的第一层。第二层ARC根据SiO2的厚度，在FS沉积70-45nm厚的氮化硅层，形成双层ARC，并且起到FS的钝化作用（中和悬挂氢键）。同时在BS沉积100nm厚氮化硅层，以增强背面内反射，同时达到背钝化的目的。背接触电极在整个BS热蒸发工艺沉积约2m厚Al。分离制作电极利用特定工艺去除除BSF接触区和Emitter区的Al层，形成交叉指状正负电极。