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1、第六章第i节（13题为单选 46题为多 ）题，选题海中学高二）传感器是指这样一类元件，它通常能把 检测镇非电学量转换为电学量（如电流、电压等）的变化或电一、选择 题1. （2016等）的变化， 路的通断，的应用。关于制作传感器所需要的元器件，下列说法错误 的是（如力、光它在自动控制中有看广泛A 热敏电阻能够把温度的变化转换为其阻值的变化B 金属热电阻能够把温度的变化转换为其阻值的变化C.光敏电阻能够把光照强弱的变化转换为其阻值的变化D .所有传感器都是由半导体材料制作的解析：热敏电阻、 金属热电阻、光敏电阻都是把温度或光照强度的变化转换为其阻值的变化从而使电路中电流或电压发生变化故选项ABC正
2、确；并非所有的传感器都是由e，现用手掌挡，则B.e v ec.e不能确定e和e的关系开始时有光照射，光敏电阻的阻值较解析：光敏电阻的阻值随光照强度的增强 而减小，小，当用手掌挡住部分光线时，光敏电阻的阻值增大，因为欧姆表的零刻度在表盘的右侧，所以欧姆表测电阻时，阻值越大，指针张角越小， 所以选项3. （201 南昆明一中高二）如图所示，用光敏6 检测云电阻B正确。LD和灯泡制成的一种简易水R污染是示器，下列说法中正故体材料制成的半导体材料、陶瓷材料、金属材料和有机材料都可以用来制作传感器，选项D错误。2.如图所示，将一光敏电阻连入多用电表两表笔上，将多用电表的选择开关置于欧姆 挡，用光照射光敏
3、电阻时表针的偏角为 住部分光线，表针的偏角为可判断（BA .严重污染时，LDR是高电阻呈俎Mi 1B.轻度污染时，LDR是高电阻口RW 1C无论污染程度如何，LDR的电阻不变，阻值大小由材料本身因素决定D 该仪器的使用不会因为白天和晚上受到影响解析：严重污染时，透过污水照到LDR上的光线较少，LDR电阻较大，A对、B错；C错；白天和晚上自然光强弱不同，）灯泡正常发光，当用打火机给钨丝加LDR由半导体材料制成，受光照影响电阻会发生变化，或多或少会影响 LDR的电阻，D错4. （2016 南衡阳市衡阳县高二上学期期末湖 如图所示，在电路中接一段钨丝，闭合开关，灯度传感明显变暗，下面的说法中根据钨丝
4、的上述特性，可用钨丝来制作一个正确的是（ABC ）A 该传感器利用了钨丝的物理性质B. 该传感器利用了钨丝电阻随温度变化而变化的特性C. 该传感器能够把热学量（温度）转换为电学量（电阻）D 该传感器能够把电学量（电阻）转换为热学量（温度）解析：由题目中的实验现象可知，钨丝的电阻随温度的升高而增大，随温度的降低而减小，利用了钨丝的物理性质；从而可以制成温度传感器，传感器能够把温度这个热学量转换为电阻这个电学量，故A、B、C正确，D错误，故选 ABC 。5如图所示，Ri为定值电阻，R2为负温度系数的热（负温度系数热敏电阻敏电阻是指八小阻值随温度的升高而减小的热敏）,L为小灯泡，当温度电阻降低时（A
5、C ）A . Ri两端的电压减小电流表的示数增大C小灯泡的亮度变强D 小灯泡的亮度变弱解析：R2与灯L并联后与Ri串联，与电源构成闭合电路，当热敏电阻温 度降低时，电R1两阻R2增大，外电路电阻增大，电流表读数L两端电压增大，灯泡亮度变变小，灯强，端电压减小，故 A、C正确，B、D错误俗 I i p(2017 东临朐一中高二上学期月考山)如图所 导体层外加上一块保护玻璃,6.是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层， 再在 式触摸屏在触摸屏四边均镀上狭长的电极， 在导ji在触摸屏幕时，由于人体是导体，手指与内部导体层间会形成一个特殊电 点，而电流强弱与手指到电极的距离成正比， 及强弱，准确算出触摸
6、点的位置。由以上信息可知，电容式触摸屏的构造主要 电容 内形成一个低电压交流电场。容)，四边电极发出的电流会流向触少(耦合电位于触摸屏后的控制器便会计算电流的比例(AB )A 电容式触摸屏的两极板分别是导体层和手指B. 当用手触摸屏幕时，手指与屏的接触面积越大，电容越大C. 当用手触摸屏幕时，手指与屏的接触面积越大，电容越小D 如果用带了手套的手触摸屏幕，照样能引起触摸屏动作解析：电容触摸屏在原理上把人体当做一个电容器元件的一个极板，把导体层当做另一个极板，故 A正确；手指与屏的接触面积越大，即两个极板的正对面积越大，故电容越大， B正确，C错误；如果带了手套或手持不导电的物体触摸时没有反应，
7、这是因为手与导体层 距离较大，不能引起导体层电场的变化，D错误。二、非选择题7.块N型半导体薄片(称霍尔元件)，其横截面为矩形，体积为bx cx d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为 n、电阻率为p、电子电荷量为e。将此元件放在匀强 磁场中，磁场方向沿z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I。(1) 此元件的 C、C两个侧面中，哪个面电势高？(2) 试证明在磁感应强度一定时，此元件的 C、C两个侧面的电势差与其中的电流成正比。(3) 磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通过的电流I，用毫伏表测量 C、C间的电压 UCC，就可测得=10mV/mA T,并测得 U ccB。若已知其霍尔k系数=求该元件ned所在处的磁感应强 度B的大小。答案：C面较高(2)见解析(3)0.02T解析：因电子的运动方向与电流的方向相反，再由左手定则可 知，电子向所以C面电势较=0.6mV , I = 3mA。试C面偏 移，(2)假设定向移动速度为v: I = q/tq= n ebdvt 可得：I = n ebdv稳定时有：Bev= eU CCf /b可得：U cc= B I，式中B各量均为定值，所以侧面的电势差与其中的电流成正比ned nedUCC(3)由上可知B=kI代入得：B= 0.02T