实验二 双端口存储器组成实验.doc

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1、计算机组成原理实验指导双端口存储器组成实验 指导教师:张攀东实验二 双端口存储器组成实验一、实验目的 1了解双端口静态随机存储器的工作特性及使用方法。2了解半导体存储器怎样存储和读出数据。3了解双端口存储器怎样并行读写,产生冲突的情况如何。二、实验准备该实验使用TEC-4计算机组成原理实验系统的存储器部分。该实验的存储器是一片IDT7132(2048*8位)的双端口存储器,此存储器有6个控制引脚:CEL#、LRW、OEL#控制左端口读、写操作,CER、RRW、OER#控制右端口读、写操作。当CEL#=_,禁止左端口读、写操作;当CEL#=_,允许左端口读、写操作:当LRW=_,左端口进行读操作

2、;LRW=_,左端口进行写操作;当OEL#=0,表示将左端口读出的数据放在数据总线DBUS上。当CEL#=_且LRW=_时,左端口进行读操作,同时将读出的数据放在数据总线DBUS上。当CEL#=_且LRW=_,将数据总线上的数据写入存储器。CER#、RRW、OER#控制右端口读、写操作的方式与CEL#、LRW、OER#控制左端口读、写操作的方式类似,不过右端口读出的数据放到指令总线上而不是数据总线上。实验台上OER#已固定接地,RRW固定接高电平,当CER=_且LDIR=_时,右端口读出的指令打入IR寄存器。存储器的地址由地址寄存器AR1和AR2提供,AR1和AR2的内容有数据开关SW0SW7

3、设置产生。在此实验过程中,应设置初始状态RS-BUS#=1,ALU-BUS=0,IAR-BUS#=1,其原因为:_。AR1的控制信号是LDAR1和AR1-INC,当LDAR1=_时,AR1从DBUS接收地址;当AR1-INC=_时,使AR1中的存储器地址增加1,产生新地址。注意:LDAR1和AR1-INC两者不能同时为1。AR2的控制信号是LDAR2和M3,当M3=_时,AR2从数据总线DBUS接收数据;当M3=_时,AR2以PC总线PC0-PC7作为数据来源。当LDAR2=_时,将新的PC值打入AR2。三、实验任务及步骤 1按图7所示,将所有控制信号和二进制开关对应接好。IAR_BUS#接V

4、CC,ALU_BUS接GND,RS_BUS#接VCC,这样接线的目的是:_。AR1_INC接GND,M3接VCC,这样可以使得_。CEL#接K0,LRW接K1,CER接K2,LDAR1接K3,LDAR2接K4,SW_BUS#接K5,LDIR接K6。置DP=1,DB=0,DZ=0,使实验台处于单拍状态。合上电源。按复位按钮CLR#,使实验系统处于初始状态。2将数码开关SW0SW7设置为00H,将此数据作为地址置入AR1;然后重新设置二进制开关控制,将数码开关SW0SW7上的数据00H写入RAM第0号单元。依此方法,在存储器10H单元写入数据10H,20H单元写入数据20H,30H单元写入数据30

5、H,40H单元写入数据40H,共存入5个数据。使用双端口存储器的左端口,依次读出存储器第00H、10H、20H、30H、40H单元中的内容,记录数据。注意:总线上禁止两个以上部件同时向DBUS总线输出数据,因此当存储器进行读出操作时,必须关闭SW_BUS向DBUS送数据。当向AR1中送入地址时,双端口存储器不能被选中。若实验操作正确,读出的数据应该和置入的数据一致。具体实现:(1)向存储器中写入数据(注意:先地址后数据)先地址令K0(CEL#)=_,K1(LRW)= _,K2(CER)= _,K3(LDAR1)= _,K4(LDAR2)= _,K5(SW_BUS#)=_,K6(LDIR)= _

6、。将IR/DBUS开关拨到_位置,将AR1/AR2开关拨到_位置。置SW0SW7为00H,按一次QD按钮,将00H写入AR1,绿色的地址指示灯应该显示00H(全灭)。后数据再令K3(LDAR1)=_,K0(CEL#)=_,K1(LRW)=_,按一次QD按钮,则将00H数据写入存储器的00H单元。依次重复进行,在存储器10H、20H、30H、40H单元中分别写入数据10H、20H、30H、40H。(2)从存储器左端口读出数据(注意:先地址后数据)先地址令K0(CEL#)=_,K1(LRW)= _,K2(CER)= _,K3(LDAR1)= _,K4(LDAR2)= _,K5(SW_BUS#)=_

7、,K6(LDIR)= _。将IR/DBUS开关拨到_位置,将AR1/AR2开关拨到_位置。置SW0SW7为00H,按一次QD按钮,将00H写入AR1,绿色的地址指示灯应该显示00H(全灭)。后数据令K5(SW_BUS#)=_,然后令K3(LDAR1)=_,K0(CEL#)=_,K1(LRW)=_,则读出存储器的00H单元的数据,读出的数据显示在DBUS数据指示灯上,应为00H(红色指示灯全灭)。依次重复进行,从存储器10H、20H、30H、40H单元中分别读出数据10H、20H、30H、40H。(3)实验结果记录表格(表1)存储单元地址置入的数据读出的数据(红色指示灯的显示)00H00H10H

8、10H20H20H30H30H40H40H3通过双端口存储器右端口(指令端口),依次把存储器第00H、10H、20H、30H、40H单元中的内容置入指令寄存器IR,观察结果是否与第2步是否相同,并记录数据。注意:如果要将指定存储单元的内容写入到指令寄存器中,必须先从存储器中读出数据然后再写入。(1)先选定要访问的存储单元先地址令K0(CEL#)=_,K1(LRW)= _,K2(CER)= _,K3(LDAR1)= _,K4(LDAR2)= _,K5(SW_BUS#)=_,K6(LDIR)= _。将IR/DBUS开关拨到_位置,将AR1/AR2开关拨到_位置。置SW0SW7为00H,按一次QD按

9、钮,将00H写入AR1,绿色的地址指示灯应该显示00H(全灭)。将读出的数据写入到指令寄存器中令K4(LDAR2)=_,K2(CER)=_,K6(LDIR)=_,则从右端口读出的存储器00H存储单元中的数据写入指令寄存器IR中,此时显示在IR数据指示灯上的应该是00H。依次重复进行,从存储器右端口读出10H、20H、30H、40H单元中的数据,写入指令寄存器IR。(3)实验结果记录(表2)存储单元地址读出的数据指令寄存器的内容(红色指示灯的显示)00H00H10H10H20H20H30H30H40H40H4双端口存储器的并行读写。四、回答问题1IAR_BUS#接Vcc,ALU_BUS接GND,

10、RS_BUS#接Vcc,其目的是_。 2AR1_INC接GND,M3接Vcc,其目的是_。 3不管对存储器进行读或写操作,都必须是先_,后_。4如果当前需要访问的是存储器左端口地址为00H的存储单元,应将下列控制键分别置于(选择:0或1)K0=_,K1=_,K2=_,K3=_,K4=_,K5=_,K6=_(控制键这样置数的原因是:_);同时将IR/DBUS开关拨到_位置,将AR1/AR2开关拨到_位置(这样拨动的原因是:_)。5如果当前需要访问的是存储器右端口地址为00H的存储单元,应将下列控制键分别置于(选择:0或1)K0=_,K1=_,K2=_,K3=_,K4=_,K5=_,K6=_(控制键这样置数的原因是:_);同时将IR/DBUS开关拨到_位置,将AR1/AR2开关拨到_位置(这样拨动的原因是:_)。6如果要同时选中双端口存储器的左、右端口,应该如何置位?7根据实验得出结论:当BUSY为0时,双端口存储器不一定发生冲突;但是如果双端口存储器发生冲突,BUSY一定为0。其原因是:_。8将实验结果绘制成表格记录,并将其附在实验报告后。

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