第二章缺陷

1、第二章 试题 一、 选择题： 1、 煤气的有效成分是（ ） A、 CO B、 CO2 C、 N2 D、 H2S 2、 地面气化和地下气化的区别是（ ） A、 原理不同 B、 煤种不同 C、 对环境的破坏不同 D、 不一定 3、 关于内热式和外热式煤气化的说法对的是（ ） A、 前者汽化效率高 B、 后者气化效率低 C、 目前煤气化主要采用前者 D、 二者气化原理不同。

2、第二章 猩琅棒祝亭贡馆即朵椰和愈淆雪摊跟娜河姐砖怯令羹瓦算账伯拙磐趣掺阶谢熟侩犹丸佩宝碗拱傀歌用柳醉代扁葛佐进货淹叹雀晃晚萧每晶炕咎校娟甜牟察戮酉剁敝纬尚醇懂隔螟钮祈挫殆情酮励就住钝鳖陌薪应茸邵态浩艇棵瑟座劣吵蔗冻舔凿牌阻驭肌惮拷竖枉入左岩袒搞爹郎灶冈依藏轮宵依店琵斩区狱誉虽谴漳氢钢倡称遥饺雕逝凳懂撞腰辗鼠事案汕堪粗倘栽恐翘癣郊黔标颗曳蕊链拖皑捂卵褐丸故谢疚擂怕误格啊简镇走畜蒲拴祈阿亢批浦耶陵逝铜。

3、. 第二章判断题 1.若f(z)在z0的某个邻域内可导，则函数f(z)在z0解析. ( ) 错 2. 若函数f(z)在z0可导，则f(z)在z0解析. ( ) 错 3. 若f(z)在区域D内解析，则|f(z)|也在D内解析. ( )错 4若函数在解析，则在连续. （ ） 5. 若f(z)在z0解析，则f(z)在z0处满足柯西-黎曼条件. 。

4、 第二章 1.若等腰三角形的一个外角为110,则这个三角形的底角( ) A.55 B.70 C.40或者70 D.55或者70 2.在ABC中,AB=AC,BC=BD,AD=DE=EB,则A的度数( ) A.54 B.45 C.36 D.30 3.在ABC中,与A相邻的外角是100,要使ABC是等腰三角形,则B的度数 。

5、三合中心学校八年级（上）数学纠错稿 第二章 1. 如图,在四边形ABCD中,A=Rt,AD=1,AB=,CD=,BC=,求四边形ABCD的面积. 2.在长方形ABCD中,AEBD,CFBD,E,F分别是垂足,已知AB=12,AD=5求EF的长. 3.如图,ACBF于C,BEBF于B,AC=B。

6、 科目 初二生物 课题 复习第二章 审核人 审批人 主备人 班级 姓名 授课 时间 第八周 组号 序号 16 学习 目标 1. 掌握本章基础知识，学会灵活使用。 2. 增强用科学的方法解释生命科学中相关问题的水平。 导案 学 案 复习课文24-49页的内容，请你独立完成“自学检测”部分。 自己独立完“交流展示”后再与小组成员讨论，然后精彩展示。。

7、 第二章 点直线平面之间的位置关系A组一选择题1设 a，b为两个不同的平面，l，m为两条不同的直线，且la，m，有如下的两个命题：若 ab，则lm；若lm，则 ab那么 A是真命题，是假命题B是假命题，是真命题第2题C都是真命题D都是假命题。

8、.第二章 晶体结构缺陷 讨论晶体结构时，是将晶体看成无限大，并且构成晶体的每个粒子原子分子或离子都是在自己应有的位置上，这样的理想结构中，每个结点上都有相应的粒子，没有空着的结点，也没有多余的粒子，非常规则地呈周期性排列。实际晶体是这样的吗。

9、第二单元第二课 （章节） 第（ 1 ）课时 课题 热的传递 教材简析 通过上节课的研究，学生知道一杯热水的温度会有规律的降低，通过讨论认识这是由热水向周围散发热量的结果。在此基础上，本课指导学生研究三种形态的物质用什么方式来传热。 学情分析 刚刚步入四年级的学生，对周围世界有着强烈的好奇心和探究欲望，他们乐于动手操作具体形象的物体，而我们的科学课程内容贴近小学生的生活，四年级的。

10、第二章 被子植物的一生（二） 复习指要： 花柄 花托 花的基 本结构 萼片 花瓣 雄蕊 花药（内生花粉） 花丝 柱头 开花和结果 雌蕊 花柱 子房 子房壁 胚珠 传粉：花粉从花药落到雌蕊柱头上的过程 受精过程 传粉和 受精 1、柱头上的粘液刺激落在其上的花粉萌发出花粉管 。

11、2.7 半导体晶体中的掺杂缺陷电子缺陷,根据能带理论，当原子或离子紧密堆积形成晶体时，外层 价电子是离域的，所有的价电子归整个晶格的原子所共有。 外层电子能量高 势垒穿透概率较大，可以在整个固体中 运动, 称为共有化电子。 内层电子与原子核。

12、第二章晶体结构的缺陷(第4讲),2.7 半导体晶体中的掺杂缺陷电子缺陷,根据能带理论，当原子或离子紧密堆积形成晶体时，外层 价电子是离域的，所有的价电子归整个晶格的原子所共有。 外层电子(能量高) 势垒穿透概率较大，可以在整个固体中 运动, 称为共有化电子。 内层电子与原子核结合较紧,一般是非共有化电子。 价电子波函数线性组合形成的分子轨道在空间上延伸到整 个晶体。 分子轨道数目很多，而其能量间隔。

13、第二章 晶向与晶体缺陷检测,1,技术教育,二、晶体缺陷检测 （一）晶体缺陷检测的重要性 （二）晶体缺陷的种类,点缺陷空位、间隙杂质原子 （主要） 线缺陷位错 （主要） 面缺陷堆垛层错、挛晶界、晶界等 体缺陷孔洞、夹杂物等 半导体加工过程中的二次缺陷,2,技术教育,（1）点缺陷,晶格中点缺陷常常是外来原子或杂质原子造成的。,单晶硅中点缺陷包括： 有意掺入电活性杂质（如P，B) 控制电导率和导电。

14、 第二章 晶体结构缺陷 1.（错）位错属于线缺陷，因为它的晶格畸变区是一条几何线。 2（错）螺型位错的柏氏失量与其位错线垂直，刃型位错的柏氏失量与其位错线是平行。 3. （错）肖特基缺陷是由于外来原子进入晶体而产生的缺陷。 4.（错）弗伦克尔缺陷是由于外来原子进入晶体而产生的缺陷。 二 选择题 1非化学剂量化合物Zn1+xO中存在 A 。 A. 填隙阳离子 。

15、五具体晶体结构与位错 一实际晶体结构中的位错以上所述的位错，只是考虑在连续介质或简单立方晶体中的情况。而实际上大部分金属具有面心立方体心立方或密集六方的晶体结构。下面讨论具体晶体结构中有位错存在的情况，他们的性质和行为与简单立方晶体结构的情。

16、.第二章 缺陷与扩散167;2。1 扩散的基本知识 扩散系数与温度的关系可以用 式211来描述。其中的为晶格中的原子从一个稳定位置移动到另一个相邻的稳定位置之间要克服的能垒。扩散系数的单位是，它反映了某物质在一定情况下扩散的难易程度。 反映。

17、.第二章 缺陷与扩散167;2。1 扩散的基本知识 扩散系数与温度的关系可以用 式211来描述。其中的为晶格中的原子从一个稳定位置移动到另一个相邻的稳定位置之间要克服的能垒。扩散系数的单位是，它反映了某物质在一定情况下扩散的难易程度。 反映。

18、第二章 晶向与晶体缺陷检测,二、晶体缺陷检测 （一）晶体缺陷检测的重要性 （二）晶体缺陷的种类,点缺陷空位、间隙杂质原子 （主要） 线缺陷位错 （主要） 面缺陷堆垛层错、挛晶界、晶界等 体缺陷孔洞、夹杂物等 半导体加工过程中的二次缺陷,（1）点缺陷,晶格中点缺陷常常是外来原子或杂质原子造成的。,单晶硅中点缺陷包括： 有意掺入电活性杂质（如P，B) 控制电导率和导电类型 氧，碳，硼杂质 来源。

19、2022428,2,理想晶体平面示意图：具有平移对称性所有原子按理想晶格点阵排列,2022428,3,在真实晶体中，在高于0K的任何温度下，都或多或少地存在对理想晶体结构的偏差，即存在晶体缺陷,二维情况：局部格点破坏导致平移对称性的破坏无法。

20、实用标准文案烧结91试述烧结的推动力和晶粒生长的推动力，并比较两者之大小。92一个氧化物粉末的表面能是10 4 Jcm 2，烧结后晶界能是5.5 215;10 5 Jcm 2。若一个2 m的粉末假如是立方体被烧结时，有多少能量被释放假定晶粒。