20042005学年第一学期模拟电子技术试题A卷.doc

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1、临沧师范高等专科学校期中试题2007-2008 学年上学期科目模拟电子技术命题教师任朴生年级06级 专业 学号 姓名考试方式(闭卷):考试时量:120 分钟试卷编号(A卷):、填空(20分)1、 N型半导体中多数载流子是 ,P型半导体中多数载流子是。2、 PN结的导电特性是.3晶体管工作在放大状态的外部条件是 。4、 甲类、乙类和甲乙类放大电路中, 路导通角最大; 路效率较高; 路交越失真最大。5、 直接耦合放大电路存在 现象。6、 场效应管是一种 元件,而晶体管是元件。7、 多级放大电路的耦合方式有 、变压器耦合。&在三极管多级放大电路中,已知 Au1 = 20, Au2 = - 10, A

2、u3 =1,则可知其接法分别为:Au1是型放大器,Au2是型放大器,Au3是型放大器。9、 稳压管通常工作在状态.10、 差分放大电路的等效差模输入信号 ud等于两个输入信号u1 和u2的,等效共模输入信号uc是两个输入u1和u2 的。11、 PN 正偏是指 PN 反偏是指。简答题(20分)1、什么是饱和失真,什么是截止失真? (3分)2、请画出晶体管的低频h参数等效模型图。(5分)3、请画出共发射极放大电路图及h参数等效模型图。(5分)4、试说明交流通路和直流通路的概念, 并给出共发射极放大电路 的直流通路和交流通路。(7分)三、计算(50分)图示电路中,已知Rbi永,Rb215c ,Re

3、23 ,Rc 5k ,RL 5kVcc=12V,三极管导通时 Ubeq=0.7V , p =50,低(1)画出该电路的直流通路;(2)估算该电路的静态工作点Icq及Uceq2、电路如图所示,B =50,Rbi = 15K Q, Rb2=5K Q, Rl=5.1K Q, FE=2.3KQ, Vcc=12V,信号源的内阻 FS=1KQ, R=5.1K Q( 15 分)(1) 估算静态工作点;(2) 画出微变等效电路;(3) 求 Au,Aus, R ,Ro.3、电路如图所示,已知:Rc=Rl = 10K Q , Re=5.1K Q , Rbi=Rb2=2K Q +Vcc=+24V,-Vee=-12V

4、,设 Ti 和 T2 的 B 相等均为 60,咲均为 1K Q.a)求差模电压放大倍数Aud,差模输入电阻R和输出电阻 吊。b)求电路的共模抑制比。(15分)%4、试说明射极偏置电路(电路如下图)如何稳定静态工作点Q的物理过程(10分)甩nflHu7q5习卜T%+叫做截止失真。 而产生的失真,2、( 7 分)d u BEu BEi BU CE d i BU BEU CEI B d U CEd iciciBCEu CEI B d U CEhn&bh21 &bhMeh22Uceo+a)晶体管Jb0=(b) H参数等效电路20072008学年模拟电子技术期中试题答案及评分标准、填空(每空1分,共20

5、分)1、电子,空穴2、单向导电性3、发射结正偏,集电结反偏4、甲类、甲乙类、乙类5、零点漂移6、压控,电流控制7、直接耦合,阻容耦合&共基、共射、共集9、反向击穿10、差 平均值11、P区接电源正极N区接电源负极P区接电源负极N区接电源正极、简答题(30 分)1、( 5 分)由于静态工作点Q设置不合适,使放大电路工作点进入截止区而产生的失真, 由于静态工作点 Q设置不合适,使放大电路工作点进入饱和区 称为饱和失真。3、(8 分)CiIF/BK;nr+-o+0订令回0凡I认4、(10 分)共射放大电路基本电路图(1)直流通路是在直流电源作用下直流电流流经的通路,也是静态电流流经的通 路。直流通路

6、:Us=0,保留Rs;电容开路;电感相当于短路(线圈电阻近似为0)(2)交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路,用于研究动态参数 交流通路:大容量电容相当于短路;直流电源相当于短路0 +片厂 * L L+CJ+0 +Ri乩T Se1UhrLi ro10a直流通路b、交流通路三、计算(50分)1、( 10 分)(1)直流通路如图所示;(2)UbqRb1Rb1 R b2?Vcc_5=515123VIcq I eqUbq UbeqRe3 0.72.31mAUcEQ=Vcc-lcQ(Rc+Re)=12-1 X (5+2.3)=4.7V2、(15 分)(1)、求Q点BQRB2C1B215 512 3

7、VU BQ U BEQ 30.71mAb 1IE1 15020 ARe2.3vcc! c (RcRe)12 1(2.3 5.11)4.6V-6分画等效电路IeqU CEQ、rJ1虹J”n1-12 分(3)、rbe300 (1 )26mv300(12650)1.6K1300( 1丿IeAV(Rl/Rc)50 2.5580rbe1.6FRB1 RB2 rbe1.12KR = Rc=5.1 k4、AvsAv亠RiRs801.121.1242.3-20 分3、计算(15分)1Ad(RlRc)60 5a)Rb rbe50b)RiRoAc2(RbRcKcmrRbrbe)2(210K(RlRc)1)6K60

8、 5rbe2(1 )Re2 12 61 5.1-8 分0.48AdAc急104-15 分它是一种基极分压式射极偏置电路:它利用R1和Rb2组成分压器以固定基极电位。当满足Ir? Ibq时,可以认为基极电位Ub VccRbi /(Rbi Rb2)。发射极串接电 阻Re,当温度升高时,Icq (或Ieq)将增加,由于IEQ的增加,在电阻Re上产生的 压降I EQRe也要增加,lEQRe的增加部分回送至基极一发射极回路去控制UbeQ ,由于UbeQ Ub lEQRe,因此外加于晶体管的UbeQ减小,并使*Q自动缩小,结果抑 制了 Icq的增加,使Icq基本稳定,从而达到稳定静态工作点的目的。即:T(Icff UeUbe J( Ub 基本不变)f Iblc J

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