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1、干刻工艺介绍,Array-DRY 2021/7/20,干蚀刻反响方式,非金属层,GI,ES,PAS1/PAS2,SiO2,SiNx,O2 He Ar,+,CF4 Cl2 BCl3,SiF4,气体，易于抽走,干蚀刻：将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成Plasma，对特定膜层加以化学性蚀刻和离子轰击，到达去除膜层的一种蚀刻方式；,干蚀刻原理,去掉不想要的薄膜 留下想要的,化学反响-等向性刻蚀,物理反响-异向性刻蚀,SiF4,Plasma,Plasma,SiF4,干蚀刻反响方式,干蚀刻模式,RIE mode,ECCP mode,PE mode,ICP mode,Plasma Etching
2、,Reactive Ion Etching,Enhanced Capacitive coupled Plasma,Inductively Coupled Plasma,干蚀刻工艺参数,干蚀刻评价工程,选取13个点，测量段差，计算刻蚀率与均一性,刻蚀率与均一性,刻蚀率：刻蚀某层膜的速率，即平均刻蚀膜厚/刻蚀时间，ERmax ERmin/2/刻蚀时间/min,均一性：ERmaxERmin/ERmax ERmin表示1枚panel内假设干点之间ER的偏差,选择比：ER上/ER下被etching的膜和下层膜的ER的比例。,SiO/IGZO 7,SiO/金属 7,SiN/ITO 7,下层膜膜厚,Tape
3、r角,Taper是指蚀刻后的断面倾斜度，是蚀刻制程中相当重要的要求，与后续沉积的薄膜覆盖性有相当密切的关系。,80,下层膜电性,金属阻抗半导体特性,Vgl: 所有TFT全部关闭的Gate电压一般设为V。,Vgh: 所有TFT全部翻开并稳定的Gate电压一般设为27V,Vth: 阈值电压，即能使TFT半导体导电的最小Gate电压.,TFT特性曲线,一般分为单边Single side和双边Both sideCD loss,Both side CD loss=DICD-FICD,Single side CD loss=(DICD-FICD)/2,CD loss,FICD,DICD,Resist残渣,lasma不能改变光刻胶特性。,信赖性,老化试验之后，阈值电压需大于Vgl。,Contact 寸法,Thank you!,