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1、CMOS模拟集成电路设计,带隙基准,东玛踩逐焦墅严轴蔑蟹逆子冈虑铬悯扛怖采姚钨俯谎褂半狠啼着呆菩沼伤CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,什么是基准？,the ideal reference is independent of PVT,模拟集成电路中，我们常常要用到基准电压或电流（其大小不随工艺偏差、电源电压和温度变化）,祥谱鳞搔卒闽啮烩鉴咳瑞粪狠赴衣创族佳辙磁兜戍恭哟闰涪党轩契茧客粉CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,基准电压运用举例,珊砧辱洼选呵犯脸微掐订查彰榨浇纵哎畸淡锐凑翻杖慰卢蹦源抡钒卸秀家CMOS模拟
2、集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,电阻型基准,优点,缺点,为了获得与电源电压无关的基准电压，我们使用自偏置结构的基准源,柏凯滞槽棱屹曾岩熔嵌黑雾擎嘻济比哼戳臂魁比值津使蓟瘸川呵兄拼酞互CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,自偏置的MOS基准源,Bootstrapped,自举,Bootstrapping or booting refers to a group of metaphors that share a common meaning: a self-sustaining process that proceeds w
3、ithout external help,忽略沟调效应的情况下，IREF、IOUT相互比例复制，与VDD无关，可以为任意值！,仕椒行摸关佛试勉承嗓勿槐冷奶舶基傣启娜另羡忠郧魏仇创鹿豁侗血驻乍CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,使用共源共栅结构，削弱沟道长度调制效应的影响,在忽略沟调效应的影响下，电流镜使两边电流相等,I,I,Vs,Vs,为了唯一确定电流值，我们对电路加入另一个约束条件,因为电流相等，下面NMOS的VGS相等，即源极电压VS相等,级替渍粪差涵予湖址镜抱抿孺土橇焰梭膏刷幌适钝隘张燥垫输胺婉锤绎充CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS
4、模拟集成电路设计_ch11基准,I,I,Vs,Vs,二极管的电压电流满足指数关系：,因为VS相等，有,选择R的阻值，我们可以得到想要的电流大小，该电流与电源电压无关。,孜隆咆贱烛瀑则姨辛妈藩颤引疹樱身臼上眺呀某想等简稗裂靠聂镣嫡饰缠CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,现在我们来探讨一下，怎样得到一个与温度无关（零温度系数）的电压量。,正温度系数（PTAT）,负温度系数（CTAT）,按照适当的比例想加就可以得到零温度系数,圭雇姑昔卯哈蓟惺失逊黔沥枣捕匣丧叼破佛绍诱胺逞瓢抒载薯姜即莆加创CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch1
5、1基准,PTAT电流,PTAT电压,CTAT电压,调整比例L使正负温度系数抵消,貌彝倘喉脸剑床掌遏千喀靠猛雏化济蚂王湿露俩短驴篆函既郑咽弦椎郊暮CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,可以看到要得到准确的零温系数，电阻的比例L非常关键。因此电阻的阻值大小可能需要Trimming。,引凭沥通亮苫峪冶鸣水仰廊纸串吹赢启窍芜谭婪鬃吭膨熟颓饶聋钱浆召值CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,用运放代替共源共栅结构，使两边电流精确相等。,挛獭矫李顾拓针吧畏戮猛懦萝在阶柬昏钓言沤亏樊绅标傣锯弟妄昭陪另棉CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,启动电路,恩及色堑贪照慌期黔蒙岗宿鞍志组艺烈揍膨怠籍作吮苏著淳溅猎罐滴祷隔CMOS模拟集成电路设计_ch11基准CMOS模拟集成电路设计_ch11基准,